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ATP216
0m
ms
era
tio
μ s
5
4
3
2
1
VDS=30V
ID=35A
VGS -- Qg
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
ASO
IDP=105A (PW≤10μs)
ID=35A
10
s
DC
Operation in
this area is
limited by RDS(on).
op
10
1m
n
s
10
0 μ
10
s
Single pulse
0.1
0
0
5
10
15
20
25
30
3
0.1
2 Tc=25 ° C
2 3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
45
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Tc
IT16438
120
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
EAS -- Ta
IT16439
40
100
35
30
80
25
60
20
15
40
10
20
5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0
25
50
75
100
125
150
175
Case Temperature, Tc -- ° C
IT16440
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT16441
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